PERT solcelle | Alt hvad du behøver at vide
PERT solcelle | Alt hvad du behøver at vide
PERT-solceller er vurderet højt blandt de super højeffektive solenergiteknologier, der kan inkorporeres i monofacial og bifacial solcelledesign.
Selvom PERT-solceller er en smule dyrere at fremstille end deres konventionelle silicium-modstykker og primært bruges i nicheindustrier såsom solbiler eller rumapplikationer, stræber alle solcelleproducenter efter at bygge og markedsføre dem med en hensigt om at give high-end og kvalitative løsninger til deres forbrugere. Bifacial solceller vinder enorm popularitet. Hvis de er placeret pænt i åbne områder eller flade overflader, kan de absorbere lys og er i stand til at producere elektrisk energi fra begge overflader, hvilket ender med at levere op til 30 % øget udbytte end dine konventionelle celler.
PERT-solceller: Hvordan fungerer de?
PERT står for Passiveret emitter bagerst fuldstændig diffus celler. De har fået en diffus bagside, hvilket er et drastisk skift fra de konventionelle modparter, der bruger den aluminiumlegerede BSF. Enkelt sagt, emitteren af en p-type baseret wafer er skabt af fosfordiffusion, og BSF opnås gennem bor-doping i p-PERT.
PERT-celler er immune over for lysinduceret udslettelse og kan akklimatisere sig til en bifacial celleform. Disse har for nylig vakt interesse fra solcelle-sektoren og forskningsuniversiteter. PV-forskere forsøger alternative cellearkitekturer for at forbedre effektiviteten af industrielt anvendelige Si-solceller - især nu, hvor den meget relevante PERC-struktur ser ud til at have nået plateauet med sin mulige effekttransformationstærskel.
Under normale parametre for AM1.5 spektrum ved 25 °Celcius temperatur, højeffektiv passiveret emitter; Passiveret emitter bagerst fuldstændig diffus celler opnåede en energiomsætningseffektivitet på omkring 25 pct. Dette er det mest lovende tal for energikonverteringseffektivitet, der nogensinde er registreret for en siliciumcelle baseret på et ikke-FZ siliciumsubstrat. Den milde bor-diffusion i cellestrukturen af PERT-cellen formindskede ikke kun cellens seriemodstand, men øgede også dens åben-kredsløbsspænding.
PERC, som står for passiveret emitter bagsidekontaktstruktur, har et lokaliseret bagoverfladefelt, som er den primære differentiator mellem en p-type PERC og en n-type PERT (BSF). BSF'en er avlet under metalsamfyring ved at dope Al til Si. Ved at etablere høj-lav-sammenhæng med p-type Si-basewaferen hjælper BSF med at forbedre solcelleeffektiviteten. Minoritetsløbere afvises af dette link, som forhindrer dem i at forbinde igen på Si waferens bagside.
Bagsiden af en PERT-struktur er tværtimod "fuldstændig diffuseret" med bor (p-type) eller fosfor (n-type). PERT solcelleteknologi er mest almindeligt anvendt i n-type Si-celler. Dette er for at drage fordel af den overlegne tålemodighed over for metallisk forurening, lav temperaturkoefficient og reduceret lysinduceret formindskelse af n-type Si-wafere i forhold til p-type Si-wafere. Fordi hovedparten af en n-type wafer er fyldt med fosfor, minimeres den lysinducerede nedbrydning i n-type Si, formentlig på grund af lavere bor-oxygen-parringer.
På trods af dette, nødvendiggør den "helt diffuse" BSF anvendelse af innovative metoder som højtemperatur POCL og BBr3 diffusion. Som følge heraf er fremstilling af PERT-solceller dyrere end PERC.
Alligevel Passiveret emitter bagerst fuldstændig diffus cellers fuld-areal BSF kan give en mere effektiv høj-lav overgangspassiveringsgengivelse end PERC's afgrænsede, grovere Al-baserede BSF. Den tunneloxid passiverede kontakt (TOPCON) struktur kan også integreres med n-type PERT. Det har evnen til at lette enhedens output endnu mere.
På grund af Si-substratets fjerring med forlænget minoritetslevetid og ingen BO-kompleks associeret nedbrydning, stiger N-type siliciumsolceller støt højt på popularitetsdiagrammerne. På grund af den enkle behandling er Bifacial Passivation Emitter og PERT n-type solceller yderst effektive løsninger, der let kan industrialiseres. Genereringen af P+-emittere var en af de bemærkelsesværdige PERT-teknikker. I årevis har BBr3-diffusion været etableret til massefremstilling, men n-type solcelle-industrialisering er blevet hæmmet af dopanthomogenitet og procesintegration. Kombinationen af borblæk-spincoating og POCl3-diffusion i n-PERT-solceller blev undersøgt og dokumenteret i en forskningsartikel. Solceller med en bifacialitet på mere end 90 procent viste sig at have en effektivitet på mere end 20.2 procent ifølge resultaterne.
Den n-type bifaciale PERT-solcelle kan fremstilles ved hjælp af et procesflow, der inkluderer en ionimplantation til enkeltsidet doping. Det fører til enestående emitter junction kvalitet og konsistens.
PERT solceller giver flere fordele, hvoraf de fleste er opført som under:
● I modsætning til PERC-solceller opnår PERT-versionen høj effektivitet gennem passivering på multimateriale, dvs. Boron BSF PERT multiloft, uden lys-induceret nedbrydning (LID).
● Omkostningerne ved ejerskab er de samme som for PERC-celler.
● PERT-linjen kan også bruges til mono- eller bifaciale celler, hvilket giver den en masse alsidighed.
PERT-solceller fremstilles ved hjælp af en række innovative metoder og kombinationer for at optimere karakteristiske celletyper. I mere end ti år har nye smarte teknologier såsom Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) systemer været brugt til fremstilling for at gøre varer med høj acceptabilitet. Ved brug af den horisontale rørovn opnås desuden fosforudsender og bor-BSF i en enkelt varmecyklus, hvilket resulterer i kortere cyklusvarigheder. Fordi Passiveret emitter bagerst fuldstændig diffus celler kan også bruges i traditionelle bagside-moduler, at omkonfigurere produktionslinjen til at gå fra monofacial til tofacial fremstilling er kun et arbejde på et par timer.
Tidligere:Hvad er en HJT solcelle?